זו אמנם לא העדות הראשונה לכך ששבב ה-Snapdragon 8 Gen 2 נמצא בעבודה, אבל כן מוצמד לו לראשונה מבחן ביצועים שנערך על Galaxy S23 – מכשיר הדגל הבא של סמסונג (Samsung) שיושק בתחילת שנה הבאה.
לפי הפרטים שעלו ל-Geekbench, אפליקציית מבחני הביצועים הפופולרית שגם אנחנו ב-TGspot משתמשים בה במהלך הביקורות הטלפונים שלנו, המבחן נערך על טלפון מדגם SM-S911U שהוא הגרסה האמריקאית של ה-Galaxy S23 כשהוא מבוסס על אנדרואיד בגרסה 13.
המבחן כשלעצמו מציג ביצועים גבוהים יחסית, אף מאלה של Snapdragon 8 Gen 1 גם בגרסת הפלוס: 1,524 נקודות למבחן הליבה הבודדת ו-4,597 נקודות למבחן ריבוי הליבות. עוד נחשף גם תצורת השבב כשהוא מחולק לשלושה מעבדים: 1 במהירות שעון של 3.36 גיגה-הרץ לעבודה המרכזית, 4 ליבות ביניים במהירות שעון 2.80 גיגה-הרץ ועוד 3 ליבות מעט יותר חלשות במהירות 2.02 גיגה-הרץ. כל אלה אמורים לספק עד 25% יותר ביצועים השוואה ל-Gen 1.
סדרת Galaxy S23 אמורה לצאת במהלך חודש פברואר השנה, כך שסביר מאוד כי סמסונג מבצעת בדיקות ראשוניות כבר עתה על מכשירי אב-טיפוס, כשהיא נדרשת לצאת לייצור המוני לקראת סוף השנה. לפי הפרטים המעטים שדלפו נראה כי החברה לא מתכננת לשינויים גדולים, כאשר עיקר תשומת הלב הוא ה-Galaxy S23 Ultra שכבר זכה לשילוב עט ה-S Pen בדגם הנוכחי וייתכן כי גם יגיע עם סורק טביעות אצבע חדשני.
חזירות שלא מחזירים את הכרטיס זכירון. בטח שוב יעשו שכל מה שמעל 256 יהיה במכשיר הגדול בצורה קיצונית שצריך 10 ידיים כדי להשתמש בו ביד אחת.
חזירות חזירות חזירות.
נפח אחסון זהה קיים לכל סוגי הדגמים
בs22 הרגיל היה קיים רק 128gb בלבד
אתה טועה. ב22 פלוס יש רק עד 256. אם אתה רוצה יותר תשלם על מכשיר גדול בהגזמה. האולטרה.