סמסונג (Samsung) היא יצרנית השבבים השנייה, אחרי TSMC, שמכריזה על כך שהיא למעשה כבר מוכנה לדור הבא של ייצור השבבים בליתוגרפיה של 5 ננו-מטר. לפי הודעה לעיתונות ששחררה החברה תהליך הייצור החדש הזה יספק גידול של 25% ביעילות השימוש בשטח הלוגי של המערכת על שבב, והוא יוכל להציג בהשוואה לתהליך ייצור ב-7 ננו-מטר צריכת כוח נמוכה ב-20% בביצועים זהים, או 10% ביצועים גבוהים יותר עם שמירה על רמת צריכת הכוח.
כמו שבבי ה-7 ננו-מטר, גם בתהליך הזה תשתמש סמסונג בליתוגרפיה המבוססת על תהליכי אולטרה-סגול קיצוני בתוך דפוסי שכבות מתכת. למעשה התהליך החדש יורש את כל התכונות של הייצור הקודם, כך שלפי סמסונג ההמרה לייצור ב-5 ננו-מטר אמורה להיות מהירה – למעשה, החברה כבר מתכוננת להתחיל לייצר דוגמאות עבור הלקוחות שלה במפעל שלה בהווסיאונג.
סמסונג הכריזה על השלמת הפיתוח של תהליכי הייצור עבור שבבי 7 ננו-מטר באוקטובר 2018, וכבר בתחילת 2019 התחילה לייצר שבבים אלו בייצור מסיבי. האם זה אומר שהפעם השבבים החדשים יגיעו עוד לפני סוף 2019 לשוק?