סמסונג (Samsung) הודיעה שהיא התחילה לייצר באופן המוני, כלומר בייצור סדרתי, זיכרונות 8 ג'יגה-ביט מסוג
DDR4 בטכנולוגיית ייצור של 10 ננו-מטר בלבד, ואת המודולים הנגזרים מזיכרון כזה בנפחים שונים. סמסונג גם הייתה הראשונה להכניס לייצור המוני, ב-2014, זיכרונות 4 ג'יגה-ביט בטכנולוגיית ייצור של 20 ננו-מטר.

השימוש בטכנולוגיית ייצור של 10 ננו-מטר מאפשר לחברה להכניס לפיסת סיליקון אחת (Wafer) הרבה יותר זיכרונות 8 ג'יגה-ביט. הגידול של מספר הזיכרונות לעומת הייצור ב-20 ננו-מטר, עבור זיכרונות 8 ג'יגה-ביט, עומד על 30% לפיסה אחת. הגדלת יכולת הייצור הזו אמורה להוזיל באופן יחסי את המחיר של זיכרונות.

בנוסף, מודולים של זיכרון DDR4 המבוססים על טכנולוגיית ה-10 ננו-מטר יכולים להגיע למהירות עבודה מרבית גבוהה יותר שלפי סמסונג עומדת על 3,200 מגה-ביט/לשנייה וזאת לעומת 2,400 מגה-ביט/לשנייה של הזיכרונות ב-20 ננו-מטר. עוד נקודה, שככל הנראה תעניין יותר ארגונים גדולים, הוא צריכת חשמל נמוכה יותר של הזיכרונות החדשים לעומת הטכנולוגיה הקודמת, כשבחברה טוענים לירידה של 10-20% בצריכה.

סמסונג תתחיל לספק עד סוף השנה מגוון רחב של מודולים החל מ-4 ג'יגה-בייט למחשבים ניידים ועד 128 ג'יגה-בייט שמיועדים בעיקר לשרתים.