סמסונג (Samsung), כפי שהתחייבה לפני זמן מה, הציגה אתמול באופן רשמי את טכנולוגיית ייצור המעבדים החדשה שלה ב-3 ננו-מטר בתהליך GAA.
חטיבת המוליכים למחצה סיפרה שכדי להתגבר על הבעיות הטכנולוגיות היא שיתפה פעולה עם גורמים בחטיבות אחרות בסמסונג כמו גם עם שותפי דרך חיצוניים, כולל בתחום הייצור והתשתית להטבעת מעבדים.
טכנולוגיית GAA, שערים מכל הכיוונים, ב-3 ננו-מטר תציג לפי סמסונג יעילות שימוש בכוח רבה יותר וכן ביצועים מהירים יותר מטכנולוגיית FinFET. למרות הקישור המיידי למעבדי הדור הבא לשוק הטלפונים החכמים, בחברה מכוונים גם אל חברות שירצו לייצר במפעלי החברה מעבדים עתירי ביצועים עבור שרתים ודאטה-סנטרים.
במספרים אומרת החברה שצריכות הכוח תפחת ב-45%, הביצועים ישתפרו ב-23% וגודל השבב יהיה קטן יותר ב-16%.
TSMC אמורה להכריז על ייצור ב-3 ננו-מטר לקראת סוף הרבעון הרביעי, כך שסמסונג יכולה לרשום לעצמה ניצחון יוקרתי. בינתיים יש לה את היכולת לנסות לשכנע את קוואלקום (Qualcomm), אפל (Apple) וגם AMD לייצר אצלה את הדור הבא של מעבדיהן.
כל הכבוד
האם בינואר יהיה סלולר 3NM ?