המחליף של ה-Snapdragon 810 כבר בדרך, את זה אנחנו יודעים וגם קיבלנו בשבוע שעבר מידע על המפרט הצפוי. כעת עלה לבסיס הנתונים של יישום ה-Geekbench 3, מבחן ביצועים של שבב ה-Snapdragon 820, ואיך לומר? קוואלקום סוגרת פערים.
המבחן שנעשה על דגם MSM8996, חושף כי למעשה, קוואלקום הצליחה במשימתה לספק ביצועים טובים יותר בדור המכשירים הבא, ולפי הנתונים היא אף עוקפת את ביצועי ה-Galaxy S6 במבחן הליבה הבודדת לעומת מבחן הריבוי ליבות שבו ה-Exynos מוביל בהפרש קל. אם משווים את Snapdragon 820 לדגם ה-810 או 808, אז הפער לטובתו כבר גדול.
עוד קיבלנו גם אישור לפרטים שאת חלקם כבר ידענו, כמו שהוא מריץ ארבעה ליבות Kyro בתדר מקסימלי של 3 גי’גה-הרץ, זה גם מה שמסביר מדוע במבחן הליבה הבודדת מצליחה קוואלקום לעקוף את שבב ה-Exynos 7420 מבית סמסונג.
לפי דיווחים ברשת, קוואלקום קיבל סיוע מסמסונג ומסתמכת על טכנולוגיית היצור של 14 ננו-מטר שהיא פיתחה, כך נראה כי נפתרה בעיית התחממות השבב, ואולם, המבחן אינו משקף לעת עתה את הביצועים הגראפיים.