האחסון במכשירים הניידים ובטלפון בפרט ממשיך לצמוח, זו כנראה גם הסיבה להכרזה של סמסונג (Samsung) אשר חשפה את שבב הזיכרון הראשון בנפח בנפח של 512 ג'יגה-בייט המיועד למכשירים שיושקו החל מהשנה הבאה.

לפי המספרים שסיפקה סמסונג, השבב החדש מסוג eUFS V-NAND מורכב מ-64 שכבות, זאת בהשוואה ל-48 שכבות של השבב 256 ג'יגה-בייט הנוכחי. מבחינת ביצועים, הוא מספק מהירות קריאה של 860 מגה-בייט/שנייה ו-255 מגה-בייט/שנייה בכתיבה, ועד 42,000 פעולות בשנייה בקריאה (IOPS).

בחברה אומרים כי הנתונים שלו יוכל לספק שדרוג משמעותי לעבודה השוטפת של המכשירים. לשם השוואה, שבב האחסון החדש מהיר פי 400 מכרטיס microSD מודרני ויאפשר העברת קובץ של 5 ג'יגה-בייט לאחסון חיצוני (מהיר) בתוך שש שניות בלבד.

את כל הטוב הזה סמסונג מתכננת להביא כבר בדגם הבא שלה, וזאת על פי הדיווחים יהיה ככל הנראה ב-Galaxy S9 שייחשף בתחילת שנה הבאה.

שתף:
-פרסומת-
אוהב גאדג'טים, אוהב טלפונים, אוהב טכנולוגיה, אבל הכי אוהב את החתול שלו שלא ממש אוהב אותו.