יצרנית השבבים קוואלקום (Qualcomm) הכריזה היום על מערכת-על-שבב (SoC) חדשה מתוצרתה, Snapdragon 835. זהו השבב הראש שלה אשר מיוצר בליתוגרפיית ייצור של 10 ננו-מטר ופותח בסיוע של סמסונג (Samsung).
את השבב החדש הציגו שתי החברות באירוע משותף שנערך בניו יורק ובאופן מפתיע, קוואלקום בחרה לדלג מעל המספר 830 ולקפוץ ישירות ל-Snapdragon 835. הסיבה לדברי החברה, הוא בשל השיפור המשמעותי שנעשה בדור החדש של השבבים, אשר מבוסס על תכנון FinFET של סמסונג המקטין את גודלו באופן משמעותי. קוואלקום אומרת כי השבב החדש מציע עד 30 אחוז שיפור בביצועים ועד 40 אחוז יעילות בחסכון בחשמל, זאת בהשוואה לשבב הדור הקודם. החברה לא חשפה האם הוא יציע ארבעה ליבות כמו הדור הנוכחי או כבר שמונה ליבות.
מלבד ביצועים, השבב החדש גם יביא איתו את טכנולוגיית Quick Charge 4, אשר תציע עד 20 אחוז טעינה מהירה יותר מאשר Quick Charge 3. טעינה זו תהיה גם יעילה יותר בחשמל ותאפשר לסיים טעינה מלאה בתוך כשעה. קוואלקום הטמיעה גם את טכנולוגיית INOV, אשר דואגת כי הציוד לא יתחמם מעבר למידה ומסוגלת לאזן את הטעינה בהתאם לצורך.
“המעבר לייצור ב-10 ננומטר תאפשר לשבב שוק הפרימיום Snapdragon 835 להביא יעילות גדולה יותר לצד ביצועים משופרים. שינויים אלו יאפשרו לנו להוסיף מספר רב של יכולות אשר ישפרו את חווית המשתמש בעולם המובייל של המחר.” אמרה קיט קריסין, סגנית מנהלת בכירה בקוואלקום.
השותפות בין סמסונג לקוואלקום התהדקה מאוד, זאת לאחר שהאחרונה חוות בעיות קשות של התחממות בשבב Snapdragon 810 שהושק במכשירים שהושקו אשתקד. סמסונג סייעה לקוואלקום לפתור את הבעיות ועם השקת Snapdragon 820 של הדור הנוכחי, השניים פעלו כדי שהבעיות לא יחזרו.
שבב Snapdragon 835 צפוי להגיע למכשירי הדגל של שנה הבאה, בתחילת 2017, אז גם ייחשפו הפרטים הטכניים הנוספים.