אם זו לא הייתה שנה מספיק קשה עבור קוואלקום (Qualcomm) בגזרת המובייל בשל תופעות ההתחממות של מיטב המכשירים השונים המבוססים על Snapdragon 810, שמועות ראשונות מעידות דווקא כי שבב הדור הבא מתוצרתה יהיה בעל מהירות שעון גבוהה עוד יותר.

לפי הדיווח, שבב ה-Snapdragon 820 ירוץ בתדר של 3 ג’יגה-הרץ, זאת לעומת 2.0 גי’גה-הרץ בשבב הנוכחי (810) או 2.1 ג’יגה-הרץ בשבב המתחרה מבית סמסונג (Samsung). עוד נאמר כי כדי לתקן את בעיית ההתחממות, השבב החדש יהיה מבוסס על ליטוגרפיית ייצור של 14 ננו-מטר, בדומה לשבב של סמסונג וככל הנראה גם בסיוע שלה לעניין, יחד עם ליבת Kryo מעודכנת ותמיכה ב-LPDDR4 ושבב גרפי משודרג.

באם הדברים נכונים, מדובר בתדר גבוה למדי, והשוואה המתבקשת היא מול מעבדי אינטל (Intel) לשוק המחשבים האישיים, שם תדר של 3 ג’יגה-הרץ דורש קירור יותר מאסיבי, כך שמעניין לדעת האם אכן קוואלקום הצליחה לפתור את בעיית ההתחממות או יתרה מכך, אף לקרר אותו עוד יותר לנוכח העליה בתדר העבודה. למעשה, הדיווח אף טוען כי החברה כבר החלה לייצר שבבים לצורך בדיקה של היצרניות, כך שמכשירים ראשונים יראו אור בסוף השנה או תחילת שנה הבאה.

עד שהוא יושק, קוואלקום פיתחה שבב מתוקן עבור ה-OnePlus 2, אשר לדברי היצרנית מדובר בגרסה משודרגת וקרירה הרבה יותר.

>> הטור השבועי: איך זה שקוואלקום מפספסת, אבל זה לא ממש פוגע בה

>> חשיפה: זהו השעון החכם של Zopo

 

שתף:
-פרסומת-
העורך הראשי ומנהל האתר. איש חומרה שנולד עם מברג ביד ומקום לכרטיס הרחבה. בעל תואר ראשון במדעי הטכנולוגיה ומעריץ מושבע של גאדג'טים מאז שהמציאו את המסך (גם לא מגע). מעביר את זמנו עם מוצר שזה עתה יצא לבין זה שייצא, חי את הרשת ואף פעם לא שוכח שטכנולוגיה טובה היא פרי מחשבתם של אנשים טובים.