סמסונג (Samsung) נמצאת כבר עמוק בתחילת הייצור של המכשיר של השנה הבאה, Galaxy S9, וזאת עוד לפני שהכרזה בפועל על ה-Galaxy S8 תתרחש לפי הערכות ב-29 במרץ או לאחר מכן. בין השאר גולת הכותרת של המכשיר, או לפחות אחת מהן, תהיה המערכת על שבב שהיא תהיה מבוססת עליה שתיוצר ב-7 ננו מטר. סמסונג תהיה הראשונה בפועל שמשלבת במכשיר טלפון מערכת על תהליך הייצור הזעיר הזה, וזאת למרות שהיא תתחיל בבדיקות הייצור של הליתוגרפיה החדשה רק מאוחר יותר השנה.

התהליך ישתמש בטכנולוגיה שמכונה 'הקרנה בצבע אולטרא-סגול קיצוני' (EUV או בכתיב מלא Extreme Ultrviolet Radiatioon). לפי החברה שימוש בטכנולוגיה הזו יאפשר את המזעור של הסיליקון ל-7 ננו-מטר, תוך הגברת הביצועים והגדלת היעילות.

מי שהקדימה את סמסונג בתחילת הבדיקות היא TSMC הטייוונית, המייצרת עבור אפל (Apple) את מעבדי ה-iPhone שלה, אך היא צפויה להציע יכולת ייצור בפועל מספר חודשים אחרי סמסונג.

שתף:
-פרסומת-
עורך האתר, כתב וותיק בתחום המחשבים והטכנולוגיה. נמצא כאן בסביבה עוד לפני שהאינטרנט הפך למה שהוא היום. היה עורך של מגזינים רבים (כן, מאלה שהודפסו על נייר), כולל PC Plus, חי את העולם הטכנולוגי ומתעורר בדיוק בזמן כשהשליח עומד בדלת עם מוצר חדש לסקירה.
  • itamar4444

    מתקרבים לגבול האפשרי עם סיליקון. צפויה תקופה ארוכה שהטכנולוגיה אומנם תמשיך להתקדם אבל ממש לא בקצב מעריכי שהתרגלנו אליו. הקצב יהיה אטי בהרבה. תיהיה הכפלה של ביצועים כל 7 או 10 שנים בלבד. גם מעבר לשבבים מבוססי גרפין יקח זמן ועוד יותר זמן להגיעה לרמת הניסיון שיש בסיליקון, וגם אז יש גבול כמה אפשר להקטין בסוף מגיעים לגודל אטומים. על מחשב קוונטי אין מה לדבר. בינתיים זה תאורתי בלבד וגם אז רק בטמפרטורה קרובה לאפס המוחלט

  • RuR

    וואו איזה קצב מהיר…

  • The Anonymous

    מה יהיה באמת עם s9?