סמסונג (Samsung) נמצאת כבר עמוק בתחילת הייצור של המכשיר של השנה הבאה, Galaxy S9, וזאת עוד לפני שהכרזה בפועל על ה-Galaxy S8 תתרחש לפי הערכות ב-29 במרץ או לאחר מכן. בין השאר גולת הכותרת של המכשיר, או לפחות אחת מהן, תהיה המערכת על שבב שהיא תהיה מבוססת עליה שתיוצר ב-7 ננו מטר. סמסונג תהיה הראשונה בפועל שמשלבת במכשיר טלפון מערכת על תהליך הייצור הזעיר הזה, וזאת למרות שהיא תתחיל בבדיקות הייצור של הליתוגרפיה החדשה רק מאוחר יותר השנה.

התהליך ישתמש בטכנולוגיה שמכונה 'הקרנה בצבע אולטרא-סגול קיצוני' (EUV או בכתיב מלא Extreme Ultrviolet Radiatioon). לפי החברה שימוש בטכנולוגיה הזו יאפשר את המזעור של הסיליקון ל-7 ננו-מטר, תוך הגברת הביצועים והגדלת היעילות.

מי שהקדימה את סמסונג בתחילת הבדיקות היא TSMC הטייוונית, המייצרת עבור אפל (Apple) את מעבדי ה-iPhone שלה, אך היא צפויה להציע יכולת ייצור בפועל מספר חודשים אחרי סמסונג.