בדיוק כמו שעון, לקראת הצגת מכשיר הדגל החדש סמסונג (Samsugn), חושפת פרטים נוספים אודות ה-Exynos 7 Octa שהוצג בשנה שעברה.

השבב החדש מיוצר בליטוגרפיית ייצור של 14 ננו-מטר במקום 20 ננו-מטר הקיים ב-Galaxy Note 4, וכך היא גם זוכה להיות בין היצרניות הבודדות המספקות שבב שכזה לתעשיית המובייל, שכן אינטל הייתה אמנם הראשונה עם שבבי Broadwell, אך אלו מיועדים לשוק ה-PC.

לדברי סמסונג, העיצוב החדש של השבב יאפשר שיפור בביצועים לצד צריכת הספק יעילה יותר ובמספרים נאמר כי ישנה גדילה של כ-20 אחוזים במהירות לעומת ירידה של 35 אחוז בהספק החשמל. כלומר מכשירים שיבוססו על השבב החדש יהיו לא רק מהירים יותר אלא גם בעלי זמן סוללה גדול יותר.

השבב משלב 4 ליבות Cortex-A57 ועוד 4 ליבות Cortex-A53 בארכיטקטורת big.LITTLE ARMv8 ובעל צריכת הספק נמוכה יותר בהשוואה לדורות הקודמים. השבב תומך במסכים ברזולוציה של 1440 על 256 פיקסלים ו-1600 על 2560 פיקסלים, זאת על ידי השבב הגרפי המשודרג Mali T-760.

סמסונג לא ציינה את המכשירים שיריצו את השבב החדש או האם הוא ירוץ על ה-Galaxy S6 שייחשף בעוד שבועיים, אך כן נאמר כי הוא יכלל כחלק מקו המוצרים שיושק השנה.

שתף:
-פרסומת-
אוהב גאדג'טים, אוהב טלפונים, אוהב טכנולוגיה, אבל הכי אוהב את החתול שלו שלא ממש אוהב אותו.
  • K

    מעניין…

    • emily

      נכון?