סמסונג (Samsung) כבר עובדת במרץ על המעבד הבא שלה, שככל הנראה ייקרא Exynos 8895. המעבד הזה אמור, לפי הערכות, להיות זה שיתפוס את מקומו של ה-Exynos 8890 בלב הדור השמיני של Galaxy S. לפי דיווחים שעלו ברשת, המעבד החדש ייוצר בליטוגרפיה של 10 ננו-מטר, והוא אמור להציע עד 30% ביצועים טובים לעומת קודמו. הליטוגרפיה הזו אמורה בפני עצמה לתרום לצריכת כוח נמוכה יותר של המעבד, או הגברת ביצועים באותה צריכה.

למעשה,מבדקים שכבר בוצעו, לפי הדיווח, הראו ש-Exynos 8895 מסוגל להגיע למהירות שיא של 4 מגה-הרץ. עם זאת יש לצפות שסמסונג לא תאפשר להתקרב ממש למהירות השיא שיכול המעבד להוציא, ותגביל את המהירות המרבית ל-90% ואולי אף קצת פחות.

לפי דיווח אחר, בבדיקת המהירות באותה צריכת כוח כמו של ה-Snapdragon 830, הגיע המעבד החדש של סמסונג למהירות של 3.6 ג'יגה-הרץ. ויותר מכך, האשכול השני, של ליבות ה-Cortex-A53, הגיע למהירות של 2.7 ג'יגה-הרץ.