שיתוף פעולה בין אינטל (Intel) למיקרון (Micron) יוביל לייצור, כבר ב-2016, של סוג חדש של זיכרונות שמהירים עד פי 1,000 יותר מזיכרונות ה-NAND שמשמשים כיום כזיכרון הבלתי נדיף העיקרי בתעשיית הזיכרונות המיועדים לשימוש בטלפונים חכמים ובכונני SSD.

קטגוריית הזיכרונות החדשה, המכונה 3D Xpoint – קיצור של 3D Cross Point – רומזת בשמה על הטכנולוגיה החדשה: שבכות של מוליכים המתחברים אל 128 מיליארד תאי זיכרון ויוצרים צמתים, כשכל תא כזה מכיל ביט יחיד, והמערך כולו מיוצר בצפיפות גבוהה שמספקת ביצועים גבוהים יותר ומהירים יותר לעומת הזיכרונות שנמצאים כיום בשימוש. ההיבט התלת ממדי של הזיכרון הזה בא לידי ביטוי בכך שניתן להניח מספר שבכות כאלה בשכבות, אם כי כרגע מדובר בשתי שכבות בלבד ועד 128 ג'יגה-בייט לרכיב יחיד – שתי החברות מתחייבות שבעתיד ניתן יהיה להגדיל במידה רבה את מספר השכבות שניתן להערים ולשלב ברכיב אחד.

עוד שינוי משמעותי הוא הדרך בה בוחרת המערכת בתא זיכרון. הבחירה מבוצעת באמצעות בוררים, והגישה, הכתיבה והקריאה לכל תא מתבצעים בהתאם לשינוי כמות המתח שעוברת בכל בורר כזה. מכיוון שכך אין צורך להשתמש בטרנזיסטורים, מה שמוביל את האפשרות להגדיל את קיבולת הזיכרון בפועל ביחידת נפח נתונה, וכן להפחית את עלויות הייצור של רכיבי הזיכרון.

זמני הגישה של הזיכרונות הללו יימדדו בננו-שניות. כאמור, באינטל ובמיקרון טוענים להאצה עד פי 1,000 לעומת זיכרונות ה-NAND ואף סיפקו דוגמה למהירות: בזמן שהיה לוקח לטכנולוגיית HDD לרוץ מצד אחד של מגרש כדורסל לצד השני, טכנולוגיית NAND הייתה גומעת מרתון – ואילו טכנולוגיית 3D XPoint הייתה קרובה להשלמת הקפה אחת של כדור הארץ.

שתף:
-פרסומת-
עורך האתר, כתב וותיק בתחום המחשבים והטכנולוגיה. נמצא כאן בסביבה עוד לפני שהאינטרנט הפך למה שהוא היום. היה עורך של מגזינים רבים (כן, מאלה שהודפסו על נייר), כולל PC Plus, חי את העולם הטכנולוגי ומתעורר בדיוק בזמן כשהשליח עומד בדלת עם מוצר חדש לסקירה.
  • ניר

    כתבה מעולה !

  • Avi Ashkenazi

    כל הכבוד